日本東朋Toho Tech半導(dǎo)體薄膜應(yīng)力測(cè)量裝置FLX2320S標(biāo)準(zhǔn)型

日本東朋Toho Tech半導(dǎo)體薄膜應(yīng)力測(cè)量裝置FLX2320S標(biāo)準(zhǔn)型

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• 適用材料廣泛： 該技術(shù)不僅適用于硅（Si）基板，還支持碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）以及玻璃等透明基板，滿足多種材料的應(yīng)力分析需求。

• 快速測(cè)量： 僅需將基板放置于載物臺(tái)，約 30 秒即可獲得測(cè)量結(jié)果。

主要功能與特點(diǎn)

1. 溫度環(huán)境下的應(yīng)力監(jiān)測(cè)
   

   
   

   標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)（FLX2320S 和 FLX3300T）內(nèi)置加熱器，最高可將樣品臺(tái)溫度升至 500℃。用戶可根據(jù)配方設(shè)定升溫速率、目標(biāo)溫度及測(cè)量間隔，實(shí)現(xiàn)連續(xù)測(cè)量。這使得設(shè)備能夠在接近實(shí)際成膜溫度的條件下確認(rèn)應(yīng)力狀態(tài)，并監(jiān)測(cè)升溫及降溫過(guò)程中的應(yīng)力變化與滯后現(xiàn)象。選配功能支持液氮冷卻，可實(shí)現(xiàn)低至 -65℃ 的低溫環(huán)境測(cè)量。

   
   

2. 多維度數(shù)據(jù)分析
   

   
   

   配套軟件提供多種分析功能，包括應(yīng)力均勻性分析、時(shí)間變化分析、溫度變化分析以及 3D 映射分析。通過(guò) 3D 圖像，用戶可以直觀地查看基板各區(qū)域的應(yīng)力分布情況。

   
   

3. 豐富的型號(hào)選擇
   

   型號(hào)	適用基板尺寸	核心功能特點(diǎn)
   FLX2320S	3~8 英寸	標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)，具備升溫功能（最高500℃）
   FLX2320R	3~8 英寸	自動(dòng)旋轉(zhuǎn)臺(tái)型號(hào)，僅支持常溫測(cè)量
   FLX3300T	6~12 英寸	300mm 晶圓對(duì)應(yīng)型號(hào)，具備升溫功能

注：應(yīng)力測(cè)量范圍均為 1~4000 MPa（以8英寸硅片1um薄膜為例），測(cè)量重復(fù)性為 ±1.3 MPa。

應(yīng)用場(chǎng)景

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• 材料開(kāi)發(fā)： 在新材料研發(fā)階段，將材料特性數(shù)據(jù)化，加速研發(fā)進(jìn)程。

• 設(shè)備性能檢測(cè)： 用于薄膜沉積設(shè)備的性能驗(yàn)證，確認(rèn)基板從邊緣到中心的應(yīng)力均勻性。

• 成膜條件優(yōu)化： 監(jiān)測(cè)溫度、氣體流量、壓力等參數(shù)變化對(duì)應(yīng)力的影響，確定最佳工藝條件。