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更新時間：2026-04-30 
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在半導體封裝材料（如光刻膠、BOE清洗液）或電池漿料（NMP+PVDF、醇醚混合體系）的研發(fā)中，我們極少使用單一純?nèi)軇?，而是大量使用混合溶媒?/span>
文獻的局限性： 化學手冊通常只收錄純水、乙醇、丙酮等純?nèi)軇┑臄?shù)據(jù)?；旌先軇┑慕殡姵?shù)并非簡單的線性疊加，且隨比例和溫度劇烈變化。
后果： 如果在計算 Zeta 電位時，錯誤地使用純?nèi)軇﹨?shù)代替混合溶劑參數(shù)，會導致計算出的電位值嚴重偏離真實值。這會誤導研發(fā)人員對漿料分散性、團聚風險的判斷，最終導致昂貴的試錯成本。
Sanyo Model 871 的核心價值在于：它允許用戶直接測量任何混合溶劑的介電常數(shù)，填的補的了的數(shù)據(jù)空白。
在半導體制造中，材料的介電性能直接影響絕緣效果和清洗效率。
光刻膠溶劑體系測量：
光刻膠的涂布均勻性與其溶劑載體的物理性質(zhì)息息相關(guān)。利用 Model 871 測量光刻膠稀釋劑的介電常數(shù)，可以幫助工程師精確模擬光刻膠在晶圓表面的鋪展行為和干燥過程中的分子相互作用。
清洗劑配方優(yōu)化：
在 Wafer 清洗工藝中，清洗液（如異丙醇與水的混合體系）的極性決定了其去除顆粒污染物的能力。通過實測介電常數(shù)，研發(fā)人員可以精準調(diào)控清洗液的極性，使其與晶圓表面的 Zeta 電位達到最佳匹配，從而實現(xiàn)“零殘留"的清洗效果，直接提升封裝良率。
應用案例： 研發(fā)人員使用 Model 871 實測 NMP 溶劑或水性體系的實際介電常數(shù)，將其代入 Zeta 電位計算公式。
價值體現(xiàn)： 獲得真實的 Zeta 電位數(shù)據(jù)后，工程師可以精準判斷漿料是處于穩(wěn)定分散狀態(tài)還是存在絮凝風險，從而優(yōu)化固含量、粘度和分散劑的添加量，避免涂布時出現(xiàn)顆粒團聚，提升電池的一致性。
雙量程覆蓋廣泛： 提供 1～20 和 1～200 兩個量程，既能測量非極性溶劑（如環(huán)己烷），也能精準測量強極性溶劑（如純水），覆蓋了絕大多數(shù)有機/無機混合體系。
±2% 的高精度： 基于 CRC Handbook 文獻值基準，保證了測量數(shù)據(jù)的權(quán)的威的性和可靠性。
開放型傳感器設(shè)計： 采用 SUS316 和 PTFE（特氟龍）材質(zhì)，不僅耐腐蝕，而且結(jié)構(gòu)開放，極易清洗。這對于處理粘度高、易殘留的漿料或光刻膠殘留物至關(guān)重要，避免了交叉污染。
溫度補償功能（可選）： 介電常數(shù)隨溫度變化顯著（如水的介電常數(shù)隨溫度升高而降低）。配合 AD 轉(zhuǎn)換器和溫度探頭，Model 871 可進行溫度補正，確保在不同實驗溫度下數(shù)據(jù)依然準確。
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